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MBT5551	文件：870.27 Kbytes Page：7 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT5551isavailableinSOT23package FEATURES RoHSCompliance AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT5551	文件：1.01632 Mbytes Page：7 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT5550MBT5551areavailableinSOT23 package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT5551	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT5551	文件：184.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5551	文件：170.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5551	文件：51.5 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5551	文件：419.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT5551	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551	文件：321.46 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageNPNTransistors HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT5551	文件：331.98 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
IPS5551T
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
6V ~ 18V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
35A
导通电阻（典型值）：
4.6 毫欧
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
SUPER-220™（TO-273AA）
封装/外壳：
TO-273AA
描述：
IC PWR SWITCH N-CHAN 1

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