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IPS105N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

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文件:1.236 Mbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IPS105N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

Infineon

英飞凌

IPU105N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

RSS105N03

Switching (30V, /-0.5A)

文件:60.39 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

YJG105N03A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:598.04 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    35A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    10.5 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    14nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1500pF @ 15V

  • 功率耗散(最大值):

    38W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    PG-TO251-3

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短截引线,IPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-251
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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INFINEON
24+
I-PAKSL
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INFINE0N
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INFINEON/英飞凌
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VB
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PG-TO251-3-11
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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TO-251
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更多IPS105N03L供应商 更新时间2025-11-15 16:12:00