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IPS105N03LGAKMA1中文资料MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPS105N03LGAKMA1

功能描述

MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IPS105N03LGAKMA1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 技术

    :MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :35A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    :4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :10.5 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :14nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    :±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :1500pF @ 15V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :38W(Tc)

  • 工作温度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 供应商器件封装

    :PG-TO251-3

  • 封装/外壳

    :TO-251-3 短截引线,IPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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