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IPS075N03LG

OptiMOS Power-Transistor

文件:554.59 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPS075N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:1.19502 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPS075N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11

Infineon

英飞凌

IPU075N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:246.82 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPU075N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPU075N03LG

OptiMOS Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    50A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    7.5 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    18nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1900pF @ 15V

  • 功率耗散(最大值):

    47W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    PG-TO251-3

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短截引线,IPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPS075N03LG供应商 更新时间2026-1-26 10:50:00