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IPU075N03L	文件：246.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：246.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IPU075N03L G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
7.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
18nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1900pF @ 15V
功率耗散（最大值）：
47W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO251-3
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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更多IPU075N03L供应商更新时间2026-3-9 15:55:00

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