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IPP80P03P4L07AKSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
7.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
80nC @ 10V
Vgs（最大值）：
+5V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
5700pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
88W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
封装/外壳：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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