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IPP80N04S3-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·N-channel - Enhancement mode\n ·Automotive AEC Q101 qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green package (RoHS compliant)\n ·100% Avalanche tested;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N04S3-04	文件：193.03 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：193.03 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

QG(typical) ：
60.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
1.1K/W
Ptot max：
136.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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