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IPB80N04S3-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N沟道、3.8 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest switching and conducti;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S3-04	文件：193.03 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：193.03 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
3.8mΩ
QG(typical) ：
60.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
1.1K/W
Ptot max：
136.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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更多IPB80N04S3-04供应商更新时间2025-10-4 13:23:00

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