丝印：65R090F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS(on) dependency over temperature

文件：1.06453 Mbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD7 采用 TO-220 封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低栅极电荷\n• 低存储能量 COSS\n• 低 Qrr\n• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

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650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS(on) dependency over temperature

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Infineon

英飞凌

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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