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IPP65R090CFD7中文资料集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书
IPP65R090CFD7规格书详情
描述 Description
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD7 采用 TO-220 封装,非常适合工业应用中的谐振拓扑,例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站,与竞争对手相比,它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品,它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷,可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。
特性 Features
• CoolMOS ™ 7 系列
• 低栅极电荷
• 低存储能量 COSS
• 低 Qrr
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™
技术参数
- 制造商编号
:IPP65R090CFD7
- 生产厂家
:Infineon
- ID (@25°C) max
:25 A
- IDpulsmax
:107 A
- Ptotmax
:127 W
- QG
:53 nC
- QG(typ @10V)
:53 nC
- RDS (on)max
:90 mΩ
- RDS (on)(@10V) max
:90 mΩ
- VDSmax
:650 V
- VGS(th)
:4 V
- Mounting
:THT
- Package
:TO220
- Operating Temperature
:-55 °C to 150 °C
- Pin Count
:3 Pins
- Polarity
:N
- Budgetary Price €/1k
:1.95
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
30000 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220F |
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INFINEON |
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TO-220 |
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25+23+ |
TO-220 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO220-3 |
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Infineon |
24+ |
PG-TO220-3 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-TO-220 |
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