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IPP60R360CFD7	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-220 package is the perfect choice for resonant high power topologies;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R360CFD7	文件：1.23236 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R360F7；Package：PG-TO220-3；600V CoolMOS짧 CFD7 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R360CFD7XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 600V TO220-3-1	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA60R360CFD7	文件：1.11122 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CFD7PowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R360CFD7	文件：1.24318 Mbytes Page：14 Pages	MOSFET600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor Features •Ultra-fastbodydiode •Lowgatecharge •Best-in-classreverserecoverycharge(Qrr) •ImprovedMOSFETreversediodedv/dtanddiF/dtruggedness •LowestFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD60R360CFD7	文件：1.01071 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CFD7PowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

OPN：
IPP60R360CFD7XKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
360 mΩ
ID @25°C max：
7 A
QG typ @10V：
14 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
CoolMOS™ CFD7

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