丝印：330P10NM；Package：PG-TO220-3；OptiMOS Power-Transistor,-100V

Features *P-channel *100 avalanche tested *Normal level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.9732 Mbytes 页数：11 Pages

INFINEON

英飞凌

P-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= -62A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 33mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

文件：354.52 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V，采用 TO-220

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。 • 高和低开关频率\n• 雪崩强度\n• 标准尺寸表面贴装封装\n• 广泛的分销合作伙伴;

Infineon

英飞凌

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文件：2.77001 Mbytes 页数：14 Pages

COPAL

尼得科

OpriMOS power-Transistor,-100V

Fratures *P-channel *100 avalanche tested *Normal level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHs compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.80165 Mbytes 页数：11 Pages

INFINEON

英飞凌