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IPP126N10N3

N-Channel MOSFET Transistor

文件:339.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP126N10N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件:351.17 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP126N10N3G

N-channel, normal level

文件:635.62 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP126N10N3-G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件:351.17 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP126N10N3G_15

N-channel, normal level

文件:635.62 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP126N10N3 G

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

IPP126N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3

Infineon

英飞凌

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更多IPP126N10N供应商 更新时间2026-2-5 15:01:00