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IPP12CN10L	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP12CN10L_11	文件：619.76 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPP12CN10LGHKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP12CN10N	文件：338 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPP12CN10NG	文件：510.22 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevelVerylowon-resistanceRDS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP12CN10L
功能描述：
MOSFET OptiMOS 2 PWR-TRANS N-CH 100V 69A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPP12CN10L供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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