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IPP129N10NF2S	文件：1.0657 Mbytes Page：11 Pages	丝印：129N10NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM2Power-Transistor Features •Optimizedforawiderangeofapplications •N-Channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 文件：1.0657 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP129N10NF2S	文件：1.1076 Mbytes Page：11 Pages	丝印：129N10NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor 文件：1.1076 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP129N10NF2S_V01	文件：1.0657 Mbytes Page：11 Pages	StrongIRFETTM2Power-Transistor Features •Optimizedforawiderangeofapplications •N-Channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 文件：1.0657 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP129N10NF2SAKMA1	文件：1.0657 Mbytes Page：11 Pages	StrongIRFETTM2Power-Transistor Features •Optimizedforawiderangeofapplications •N-Channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 文件：1.0657 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP129N10NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• Multi-vendor compatibility\n• Right-fit products\n• Supports a wide variety of applications\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased current carrying capability\n• Ease of manufacturing;	Infineon 英飞凌	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市大时代电子有限公司	IPP129N10NF2S	INFINEON	22+		2000	INFINEON原装原厂渠道	询价
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更多IPP129N10NF2S供应商更新时间2026-1-26 10:10:00

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