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IIPP093N06N3	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA093N06N3	文件：261.23 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA093N06N3	文件：550.75 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3PowerTransistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA093N06N3G	文件：33.1 Kbytes Page：1 Pages	MaterialContentDataSheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP093N06N3	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP093N06N3G	文件：296.2 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP093N06N3 G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 60V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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