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IPP100N06S3-04

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPB100N06S3-04

OptiMOS-TPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPI100N06S3-04

OptiMOS-TPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPP100N06S3-04

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
17+
PG-TO220-3
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原装正品 可含税交易
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INFINEON
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PG-TO220-3
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INFINEON/英飞凌
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TO220-3-1
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON
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6000
原装正品,支持实单
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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更多IPP100N06S3-04供应商 更新时间2025-5-24 14:00:00