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IPP110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP110N06LG	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP110N06L-G	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IXFK110N06	文件：156.88 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK110N06	文件：328.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TSM110N06	文件：107.28 Kbytes Page：6 Pages	55VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
IPP110N06L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 78A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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