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IPP080N03L | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:338.22 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
丝印:080N03L;Package:PG-TO220-3-1;OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro 文件:280.26 Kbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N 沟道功率 MOSFET 极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N-Channel Power MOSFET 文件:411.13 Kbytes 页数:6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC |
技术参数
- VDS max:
30.0V
- RDS (on) max:
8.0mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max:
11.8mΩ
- Polarity :
N
- ID max:
50.0A
- Ptot max:
47.0W
- IDpuls max:
200.0A
- VGS(th) min max:
1.0V 2.2V
- QG :
9.0nC
- Rth :
3.2K/W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
INFINEON |
12+ |
TO-220 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
英飞凌 |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
TO220-3 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO220-3 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3285 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO220-3 |
92586 |
询价 |
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