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TSM080N03E

N-Channel Power MOSFET

文件:411.13 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM080N03EPQ56RLG

N-Channel Power MOSFET

文件:411.13 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM080N03E

N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM080N03EPQ56

30V, 55A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    30

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    55

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    8

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    6.5

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    12.5

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    9.5

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    7.5

  • Qgd (nC):

    4.5

  • Qgs (nC):

    1.3

  • Ciss (pF):

    750

  • Coss (pF):

    150

  • Crss (pF):

    110

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.6

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更多TSM080N03E供应商 更新时间2025-11-24 15:21:00