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IPN70R1K0CE

高性价比的超结 MOSFET,适用于电子消费产品和照明应用

CoolMOS™ CE 是英飞凌市场领先的高电压功率 MOSFET 的技术平台,根据超结原理 (SJ) 设计,旨在满足消费者的需求。通过其扩展产品系列,英飞凌提供 600V、650V 和 700V 器件,旨在满足移动设备和电动工具、LCD、LED TV 和 LED 照明 应用对低功耗充电器的需求。 • 热性能\n• 器件上 ≤ 90°C,开放型外壳\n• ≤ 50°C/70°C 封闭外壳温度\n• EMI 符合 EN55022B 标准\n• 易用性和快速设计\n\n优势:\n• 从典型的 R Ds(开启)到标称之间较大裕度的低传导损耗\n• 优化输出电容带来的低开关损耗 (E oss)\n• 优化电磁干扰,以平衡开关速度和电磁干扰行为\n• 集成 Rg 的良好控制性;

Infineon

英飞凌

IPN70R1K0CE

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.06255 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

英飞凌

IPN70R600P7SATMA1

SOT-223

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市吉铭电子科技有限公司

INFINEON/英飞凌

IPP015N04NG

TO-220

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

IPP019N08NF2S

TO-220

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPN70R1K0CEATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-SOT223-3

  • VDS max:

    700 V

  • RDS (on) @10V max:

    1000 mΩ

  • ID @25°C max:

    7.4 A

  • QG typ @10V:

    14.9 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

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更多IPN70R1K0CE供应商 更新时间2025-12-10 23:00:00