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IPL70R2K1CES

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

CoolMOS ™是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计,由英飞凌科技率先推出。CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台,能够满足充电器和适配器市场中的应用,同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本性能比。 • 由于 FOM R DS(on)*Q G 和 E oss 非常低,损耗极低>\n• 易于使用/驱动\n• 无铅电镀,无卤素模塑料;

Infineon

英飞凌

IPL70R2K1CESATMA1

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

Infineon

英飞凌

IPN70R2K1CE

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.04621 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

英飞凌

IPLU250N04S4-1R7

HSOF-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

IPLU300N04S4-R8

H-PSOF-8-1

Infineon

英飞凌

上传:深圳市富源半导体有限公司

技术参数

  • Coss:

    14 pF

  • ID (@25°C) max:

    2.3 A

  • ID max:

    2.3 A

  • IDpulsmax:

    6.3 A

  • Ptotmax:

    22 W

  • Qgd:

    4.3 nC

  • QG:

    7.8 nC

  • QG(typ @10V):

    7.8 nC

  • RDS (on)max:

    2100 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    2100 mΩ

  • RthJAmax:

    62 K/W

  • RthJCmax:

    5.6 K/W

  • Rth:

    5.6 K/W

  • VDSmax:

    700 V

  • VGS(th):

    2.5 V to 3.5 V

  • Mounting:

    SMT

  • Package:

    ThinPAK 5x6

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 150 °C

  • Pin Count:

    5 Pins

  • Polarity:

    N

  • Special Features:

    price/performance

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINE0N
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PG-TSON-8
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更多IPL70R2K1CES供应商 更新时间2025-11-1 13:02:00