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IPL70R2K1CES中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPL70R2K1CES

参数属性

IPL70R2K1CES 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET
MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-1 18:57:00

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IPL70R2K1CES规格书详情

描述 Description

CoolMOS ™是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计,由英飞凌科技率先推出。CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台,能够满足充电器和适配器市场中的应用,同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本性能比。

特性 Features

• 由于 FOM R DS(on)*Q G 和 E oss 非常低,损耗极低>
• 易于使用/驱动
• 无铅电镀,无卤素模塑料

简介

IPL70R2K1CES属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Infineon制造生产的IPL70R2K1CES晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IPL70R2K1CES

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Coss

    :14 pF

  • ID (@25°C) max

    :2.3 A

  • ID max

    :2.3 A

  • IDpulsmax

    :6.3 A

  • Ptotmax

    :22 W

  • Qgd

    :4.3 nC

  • QG

    :7.8 nC

  • QG(typ @10V)

    :7.8 nC

  • RDS (on)max

    :2100 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :2100 mΩ

  • RthJAmax

    :62 K/W

  • RthJCmax

    :5.6 K/W

  • Rth

    :5.6 K/W

  • VDSmax

    :700 V

  • VGS(th)

    :2.5 V to 3.5 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :ThinPAK 5x6

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 150 °C

  • Pin Count

    :5 Pins

  • Polarity

    :N

  • Special Features

    :price/performance

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
PG-TDSON-8
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
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VICOR
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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23+
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10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
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Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
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Infineon/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
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