OptiMOS Power-Transistor

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OptiMOS Power-Transistor

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55 V、N 沟道、最大 8 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™

• N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology\n • highest current capab;

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology\n • highest current capab;

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