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IPI80N06S2-08中文资料55 V、N 沟道、最大 8 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPI80N06S2-08

功能描述

55 V、N 沟道、最大 8 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:58:00

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IPI80N06S2-08规格书详情

特性 Features

• N沟道 - 增强模式

• 符合汽车 AEC Q101 标准

• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

• 工作温度为 175°C

• 绿色封装(符合 RoHS 标准)

• 超低 RDS(on)

• 100% Avalanche 测试

• 支持 PPAP 的设备

技术参数

  • 制造商编号

    :IPI80N06S2-08

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :320 A

  • Ptotmax

    :215 W

  • QG(typ @10V) max

    :72 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :8 mΩ

  • RthJCmax

    :0.7 K/W

  • VDSmax

    :55 V

  • VGS(th)max

    :4 V

  • VGS(th)min

    :2.1 V

  • Package

    :I2PAK (PG-TO262-3)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™

  • Polarity

    :N

  • Qualification

    :Automotive

  • Budgetary Price €/1k

    :1.29

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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