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IPI80N04S3-06	文件：193.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：193.72 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPD80N04S3-06	文件：335.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 5.2mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·F 文件：335.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD80N04S3-06	文件：190.29 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：190.29 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPI80N04S3-06
功能描述：
MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 80A 5.8mOhMS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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