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IPI65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	Marking：65F6150；Package：PG-TO262；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R150CFD	文件：331 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASA65R150E	文件：2.34549 Mbytes Page：11 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications BoostPFCswitch,single-endedflybackortwo-transistorforward, HalfbridgeorAsymmetrichalfbridgeorSeriesresonancehalfbridgetopologies. PCpower,Adaptor,LCD&PDPTV,LEDLighting,Serverpower, Telecompower,andUPSApplication. Features Lowdrain-sourceon-resis	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
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IIPP65R150CFD	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW65R150CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPB65R150CFD	文件：316.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB65R150CFDA	文件：2.19525 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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