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IPI65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	丝印：65F6150；Package：PG-TO262；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS™M CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Th 文件：3.82385 Mbytes 页数：20 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI65R150CFD	文件：331 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPI65R150CFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a c ·650V technology with integrated fast body diode\n ·Limited voltage overshoot during hard commutation\n ·Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology\n ·Tighter R DS(ON) max to R DS(on) typ window\n ·Easy to design-in\n ·Lower price compared to 600V CFD technology;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS™M CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Th 文件：3.82385 Mbytes 页数：20 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R150CFD	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP65R150CFDA	文件：2.19525 Mbytes Page：16 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.19525 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
I2PAK (TO-262)
VDS max：
650.0V
RDS (on) max：
150.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
22.4A
Ptot max：
195.3W
IDpuls max：
72.0A
VGS(th) min max：
3.5V 4.5V
QG ：
86.0nC
Rth ：
0.64K/W
RthJC max：
0.64K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

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