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IPP65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	Marking：65F6150；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R150CFD	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPW65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R150CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R150CFDA	文件：2.19525 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPX65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPP65R150CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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