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IPI65R099C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET; • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比，具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡\n \n; CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R099C6	文件：3.83435 Mbytes Page：20 Pages	丝印：65C6099；Package：PG-TO262；CoolMOS??C6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R099C6	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R099C6	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R099C6	文件：3.83435 Mbytes Page：20 Pages	CoolMOS??C6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R099C6	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R099C6	文件：3.83435 Mbytes Page：20 Pages	CoolMOS??C6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Package ：
I2PAK (TO-262)
VDS max：
650.0V
RDS (on) max：
99.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
38.0A
Ptot max：
278.0W
IDpuls max：
115.0A
VGS(th) min max：
2.5V 3.5V
QG ：
127.0nC
Rth ：
0.45K/W
RthJC max：
0.45K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

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更多IPI65R099C6供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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