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IPW65R099C6	文件：3.83435 Mbytes Page：20 Pages	丝印：65C6099；Package：PG-TO247；CoolMOS??C6 Power Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS TM C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resu 文件：3.83435 Mbytes 页数：20 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPW65R099C6	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPW65R099C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET CoolMOS™ C6/E6系列将 Infineon 作为领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。这些器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。600V CoolMOS ™ C6 可替代 600V CoolMOS ™ C3650V CoolMOS ™ C6 可替代 650V CoolMOS ™ C3 • 易于控制开关行为\n• 由于品质因数 (R DS(on)* Q g 和 E oss) 非常低，损耗也非常低\n• 非常高的换向坚固性\n• 易于使用\n• 与 C3 相比，轻载效率更高\n• 凭借久经考验的 CoolMOS ™品质和高体二极管坚固性，实现了出色的可靠性\n• 与前几代 CoolMOS ™相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、更轻便、更散热;	Infineon 英飞凌	Infineon
IIPP65R099C6	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIPW65R099C6	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R099C6	文件：3.83435 Mbytes Page：20 Pages	CoolMOS??C6 Power Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS TM C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resu 文件：3.83435 Mbytes 页数：20 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

ID max：
38 A
IDpulsmax：
115 A
Ptotmax：
278 W
QG：
127 nC
QG(typ @10V)：
127 nC
RDS (on)max：
99 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
99 mΩ
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
0.45 K/W
Rth：
0.45 K/W
VDSmax：
650 V
VGS(th)：
2.5 V to 3.5 V
Mounting：
THT
Package：
TO247
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
2.97

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更多IPW65R099C6供应商更新时间2026-1-17 11:02:00

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