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IPI530N15N3	文件：331.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI530N15N3G	文件：979.65 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;HalogenFree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI530N15N3G	文件：967.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP530N15N3	文件：338.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP530N15N3G	文件：362.22 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=53mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP530N15N3G	文件：967.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channel,normallevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPI530N15N3
功能描述：
MOSFET N-Channel 150V Transistor N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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