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IPI139N08N3G	文件：1.02554 Mbytes Page：11 Pages	丝印：139N08N；Package：PG-TO-262-3；OptiMOS3 Power-Transistor eatures • Ideal for high frequency switching • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x Rps(an) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating: RoHS compliant ▪ Qualified according to JEDEC for target applications • Halogen-free 文件：1.02554 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI139N08N3GHKSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPB139N08N3G	文件：1.02554 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor eatures • Ideal for high frequency switching • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x Rps(an) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating: RoHS compliant ▪ Qualified according to JEDEC for target applications • Halogen-free 文件：1.02554 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
13.9 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
25nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1730pF @ 40V
功率耗散（最大值）：
79W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

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