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IPI139N08N3GHKSA1中文资料MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPI139N08N3GHKSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：80V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：6V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：13.9 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：3.5V @ 33µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：25nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1730pF @ 40V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：79W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO262-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25 |
PG-TO262-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-262 |
20000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO262-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
