isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.1mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive,

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ISC

无锡固电

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• Robust packages with sup;

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40 V、N 沟道、最大 4.1 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

• N 通道 - 增强模式\n• 通过汽车 AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保封装（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n\n优势:\n• 低开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级\n ;

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• Robust packages with sup;

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