N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features | ® Vos=30V | ® Rosoy=16mQ@ Vos=10 @los=30A © Roson=21MQ@ Vos=45 @los=25A |

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TECHPUBLIC

台舟电子

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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英飞凌

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

30 V、N 沟道、最大 2.2 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

• N-channel - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• Robust packages with sup;

Infineon

英飞凌

30 V、N沟道、3.3 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

• N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌