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型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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IPD90N03S4L-03 | OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件:189.43 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IPD90N03S4L-03 | OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件:162.82 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IPD90N03S4L-03 | 30 V、N沟道、3.3 mΩ(最大值)、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装(符合 RoHS 标准)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件:162.82 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- IDpulsmax:
360 A
- Ptotmax:
94 W
- QG(typ @10V):
60 nC
- QG(typ @10V) max:
75 nC
- RDS (on)(@10V) max:
3.3 mΩ
- RthJCmax:
1.6 K/W
- VDSmax:
30 V
- VGS(th):
1.6 V
- Package:
DPAK (PG-TO252-3)
- Operating Temperature:
-55 °C to 175 °C
- Technology:
OptiMOS™-T2
- Launch year:
2007
- Polarity:
N
- Currently planned availability until at least:
2032
- Qualification:
Automotive
- Budgetary Price €/1k:
0.49
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
20+ |
TO-252 |
5000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
9548 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
17+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO25 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+/24+ |
TO252 |
9865 |
原装正品,专业代理MOS(场效应管) |
询价 | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
英飞凌 |
24+ |
5000 |
全新、原装 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO |
8866 |
询价 | |||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
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