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IPD80R2K7C3A	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V、N 沟道、最大 2700 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、CoolMOS ™ C3A 电动汽车领域，例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)），对更高系统电压的需求日益增长，CoolMOS™ C3A 技术就是专为满足这种需求而设计的。 • 一流的质量和可靠性\n• 高阻断电压\n• 高冲击电流能力\n• 通过汽车 AEC 101 认证\n• •环保封装（符合 RoHS）\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD80R2K7C3A	文件：516.53 Kbytes Page：10 Pages	丝印：80C2k7A；Package：PG-TO252-3；CoolMOSTM Power Transistor 文件：516.53 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD80R3K3P7ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TO-252	INFINEON/英飞凌上传：深圳市能创芯电子科技有限公司	INFINEON/英飞凌
IPD90N04S4-03	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	Infineon
IPD90N04S4-04	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市毅创辉电子科技有限公司	Infineon

技术参数

OPN：
IPD80R2K7C3AATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
800 V
RDS (on) @10V max：
2700 mΩ
ID @25°C max：
2 A
QG typ @10V：
12 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.9 V
Technology：
CoolMOS™ C3A

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