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IPD80R2K7C3A中文资料800V、N 沟道、最大 2700 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、CoolMOS ™ C3A数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD80R2K7C3A

功能描述

800V、N 沟道、最大 2700 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、CoolMOS ™ C3A

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-10 11:40:00

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IPD80R2K7C3A规格书详情

描述 Description

电动汽车领域,例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)),对更高系统电压的需求日益增长,CoolMOS™ C3A 技术就是专为满足这种需求而设计的。

特性 Features

• 一流的质量和可靠性
• 高阻断电压
• 高冲击电流能力
• 通过汽车 AEC 101 认证
• •环保封装(符合 RoHS)

优势:

应用 Application

• 为汽车板载电力电子系统中的较低功率的应用开发
• 牵引逆变器、板载充电器和板载直流-直流转换器中的辅助供电电路
• 返驰式拓扑结构,例如:
• CCM 返驰式
• DCM 返驰式
• QR 返驰式
• 无缓冲 (QR) 返驰式

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD80R2K7C3A

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD80R2K7C3AATMA1

  • Qualification

    :Automotive

  • Package name

    :DPAK (PG-TO252-3)

  • VDS max

    :800 V

  • RDS (on) @10V max

    :2700 mΩ

  • ID @25°C max

    :2 A

  • QG typ @10V

    :12 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2.1 V

  • VGS(th) max

    :3.9 V

  • Technology

    :CoolMOS™ C3A

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