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IPD80N06S3-09数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD80N06S3-09

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:48:00

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技术参数

  • 型号:

    IPD80N06S3-09

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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Infineon(英飞凌)
23+
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23+
TO-252
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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22+
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只做原装进口现货,专注配单
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Infineon(英飞凌)
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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INENOI
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SOT252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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2500
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23+
SOT252
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原装正品,有挂有货,假一赔十
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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