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IPD80N06S3-09中文资料OptiMOS-T Power-Transistor数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IPD80N06S3-09
- 功能描述：
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
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Infineon Technologies |
21+ |
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2500 |
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INENOI |
23+ |
SOT252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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Infineon(英飞凌) |
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INENOI |
23+ |
SOT252 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO |
8866 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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VB |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
