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IPD70R360P7S中文资料英飞凌对反激式拓扑的解答数据手册Infineon规格书
IPD70R360P7S规格书详情
描述 Description
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电
• 效率和热性能
• 使用方便
• 电磁干扰行为
特性 Features
• 极低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
• 高性能技术
• 低开关损耗 (E oss)
• 高效率
• 优异的热性能
• 支持高速开关
• 集成保护齐纳二极管
• V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
• 成熟的产品组合
优势:
• 成本极具竞争力的技术
• 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
• 更高开关速度实现更高效率增益
• 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
• 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
• 轻松驱动和设计导入
• 支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
• 优良产品的最佳选择
应用 Application
• 充电器
• 适配器
• 电视
• 照明
• 音频
• 辅助电源
技术参数
- 制造商编号
：IPD70R360P7S
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPD70R360P7SAUMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO252-3
- VDS max
：700 V
- RDS (on) @10V max
：360 mΩ
- ID @25°C max
：12.5 A
- QG typ @10V
：16.4 nC
- Special Features
：price/performance
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-40 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：2.5 V
- VGS(th) max
：3.5 V
- Technology
：CoolMOS™ P7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
25000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
NA |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
10000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
7000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
8348 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 |
