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IPD65R250C6中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD65R250C6

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 11:26:00

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IPD65R250C6规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。

• 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3
• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3

特性 Features

• 易于控制开关行为
• 由于非常低的品质因数(R DS(ON)*Q g)和E oss),因此损耗极低
• 非常高的换流坚固性
• 使用简便
• 与 C3 相比,具有更高的轻载效率
• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比,性价比更高
• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低


优势:
 

• 提升功率密度
• 提升可靠性
• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
• 提高轻载效率
• 提高在硬开关应用中的效率
• 改进了易用性
• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡
 

应用 Application

• 消费品
• 适配器
• 电动交通
• 服务器和通信的 PFC 阶段
• 开关电源(SMPS)
• 计算机电源
• 太阳能
• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD65R250C6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :650.0V

  • RDS (on) max

    :250.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :16.1A

  • Ptot max

    :208.3W

  • IDpuls max

    :46.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :44.0nC 

  • Rth 

    :0.6K/W 

  • RthJC max

    :0.6K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
4900
进口原装假一赔十支持含税
询价
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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23+
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10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON/英飞凌
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TO-252
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INFINEON/英飞凌
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TO252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2500
专营IR 英飞凌 支持含税
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