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IPD60R600P6中文资料500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD60R600P6

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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IPD60R600P6规格书详情

描述 Description

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计,填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

特性 Features

• 减少栅极电荷 (Qg)
• 更高的 Vth
• 体二极管耐久性良好
• 经过优化的集成 Rg
• dv/dt 从 50V/ns
• 提高CoolMOS™ 的质量得益于英飞凌在超结技术领域拥有超过 12 年的制造经验

优势:
• 提高了效率,特别是在轻载条件下
• 具备提前关闭功能,可提高软开关应用效率
• 适用于硬开关和软开关拓扑
• 优化了效率与易用性以及对开关行为的良好控制性之间的平衡
• 坚固性高,效率更高
• 出色的质量和可靠性

应用 Application

• 服务器、通信整流器、PC silverbox、游戏控制台的 PFC 级
• 服务器、通信整流器、PC silverbox、游戏控制台的 PWM 级 (TTF、LLC)

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD60R600P6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD60R600P6ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO252-3

  • VDS max

    :600 V

  • RDS (on) @10V max

    :600 mΩ

  • ID @25°C max

    :7.3 A

  • QG typ @10V

    :12 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • VGS(th) min

    :3.5 V

  • VGS(th) max

    :4.5 V

  • Technology

    :CoolMOS™ P6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
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PG-TO252-3
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TO-252
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