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IPD65R650CE数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD65R650CE

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:26:00

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IPD65R650CE规格书详情

描述 Description

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用,作为现代超结,它可以提供低导通和低开关损耗,进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS (on)和封装,适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。

特性 Features

• 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄
• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 体二极管稳健性良好,反向恢复电荷(Q rr)较低
• 经过优化的集成 Rg

优势:
• 低通态损耗
• 低开关损耗
• 兼适于硬开关和软开关
• 易掌控的转换行为
• 提高效率,进而降低功耗
• 减轻设计工作量
• 使用简便

应用 Application

• 笔记本电脑和笔记本电脑适配器
• 低功耗充电器
• 照明
• LCD 和 LED 电视

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD65R650CE

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD65R650CEAUMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO252-3

  • VDS max

    :650 V

  • RDS (on) @10V max

    :650 mΩ

  • ID @25°C max

    :10.1 A

  • QG typ @10V

    :23 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-40 °C

  • VGS(th) min

    :2.5 V

  • VGS(th) max

    :3.5 V

  • Technology

    :CoolMOS™ CE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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