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IPD65R250E6中文资料500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD65R250E6

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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IPD65R250E6规格书详情

描述 Description

 CoolMOS™ E6 结合了英飞凌作为业内领先的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术所提供的器件具备了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。
 

• 600V CoolMOS™ E6 可替代 600V CoolMOS™ C3
• 650V CoolMOS™ E6 可替代 650V CoolMOS™ C3

特性 Features

• 易于控制开关行为
• 非常高的换流坚固性
• 由于非常低的优质系数(R DS(ON)*Q g) 和 E oss),因此损耗极低
• 使用简便
• 与 C3 相比,具有更高的轻载效率
• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比,性价比更高
• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低


优势:
• 提升功率密度
• 提升可靠性
• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
• 提高轻载效率
• 提高在硬开关应用中的效率
• 改进了易用性
• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡

应用 Application

• 消费品
• 适配器
• 电动交通
• 服务器和通信的 PFC 阶段
• 开关电源(SMPS)
• 计算机电源
• 太阳能
• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD65R250E6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :650.0V

  • RDS (on) max

    :250.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :16.1A

  • Ptot max

    :208.0W

  • IDpuls max

    :46.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :45.0nC 

  • Rth 

    :0.6K/W 

  • RthJC max

    :0.6K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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INFINEON/英飞凌
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