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IPD64CN10N G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD64CN10N G

功能描述

MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    IPD64CN10N G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 17A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
18500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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INFINEON/英飞凌
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SOT-252
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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DPAK(TO-252)
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TO-252D-PAK
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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TO-252
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原装正品,假一罚十
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