丝印：70S1K4P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath

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英飞凌对反激式拓扑的解答

顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电\n • 效率和热性能\n• 使用方便\n• 电磁干扰行为 • 极低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off\n• 高性能技术 • 低开关损耗 (E oss)\n• 高效率\n• 优异的热性能\n\n• 支持高速开关\n• 集成保护齐纳二极管\n• V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差\n• 成熟的产品组合\n\n优势:\n• 成本极具竞争力的技术\n• 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K\n• 更高开关速度实现更高效率增益\n• 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸\n• 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平\n• 轻松驱动和设计导入\n• 支持更小的外;

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700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

MOSFET 700V CoolMOSª P7 Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive app

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