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IPD65R420CFD中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD65R420CFD

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:21:00

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IPD65R420CFD规格书详情

描述 Description

650V CoolMOS ™ CFD2 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7 650V CoolMOS ™ CFD2 是英飞凌第二代市场领先的高压 CoolMOS ™ MOSFET,带有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品,能效更高。与竞争对手的器件相比,更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。

特性 Features

• 集成快速体二极管,650 V
• 硬开关中的低电压过冲
• 显著降低 Q G
• 更紧密的 R DS(on)max 至 R DS(on)typ 窗口
• 易于设计

应用 Application

• 适配器和充电器

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD65R420CFD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID (@25°C) max

    :8.7 A

  • IDpulsmax

    :27 A

  • QG

    :32 nC

  • QG(typ @10V)

    :32 nC

  • RDS (on)max

    :420 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :420 mΩ

  • RthJAmax

    :62 K/W

  • RthJCmax

    :1.5 K/W

  • Rth

    :1.5 K/W

  • VDSmax

    :650 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :DPAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Pin Count

    :3 Pins

  • Polarity

    :N

  • Special Features

    :fast recovery diode

  • Budgetary Price €/1k

    :0.64

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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