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IPD65R420CFD	文件：7.64783 Mbytes Page：21 Pages	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD65R420CFD	文件：4.60565 Mbytes Page：21 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD65R420CFDA	文件：1.31097 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R420CFD	文件：331.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.42Ω·Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI65R420CFD	文件：7.64783 Mbytes Page：21 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R420CFD	文件：4.60565 Mbytes Page：21 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R420CFD	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.42Ω·Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R420CFD	文件：4.60565 Mbytes Page：21 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R420CFD	文件：7.64783 Mbytes Page：21 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R420CFD	文件：335.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤420mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IPD65R420CFD
功能描述：
MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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