IPD65R190C7

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET; • 650V 电压\n• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装\n• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 低栅极电荷Qg\n• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间\n• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验\n\n优势:\n• 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用\n• 低通态损耗/小封装\n• 低开关损耗\n• 提高轻载效率\n• 增加功率密度\n• 出色的CoolMOS™质量\n;

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。\n

IPD65R190C7

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

IPD65R190C7

N-Channel MOSFET Transistor

IPP65R190C7

N-ChannelMOSFETTransistor

IPP65R190C7

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

IPW65R190C7

N-ChannelMOSFETTransistor