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IPD65R190C7中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IPD65R190C7规格书详情
描述 Description
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。
特性 Features
• 650V 电压
• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 低栅极电荷Qg
• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验
优势:
• 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
• 低通态损耗/小封装
• 低开关损耗
• 提高轻载效率
• 增加功率密度
• 出色的CoolMOS™质量
应用 Application
• 通信
• 服务器
• 太阳能
• 计算机电源
技术参数
- 制造商编号
：IPD65R190C7
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPD65R190C7ATMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO252-3
- VDS max
：650 V
- RDS (on) @10V max
：190 mΩ
- ID @25°C max
：13 A
- QG typ @10V
：23 nC
- Special Features
：highest performance
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- VGS(th) min
：3 V
- VGS(th) max
：4 V
- Technology
：CoolMOS™ C7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
54648 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
880000 |
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Infineon |
20+ |
原装 |
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INFINEON |
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DPAK |
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INFINEO |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
PG-TO252-3 |
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TO-252 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
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询价 |
